最終更新日:2023/02/06

ウェハ (特許分析レポート・日本)

技術分野「ウェハ」の直近(2021-01-01〜2021-05-31)の特許出願件数は 390件 です。前年同期間(2020-01-01〜2020-05-31)の特許出願件数 525件 に比べて -135件(-25.7%) と大幅に減少しています。 本レポートは、「 ウェハー 」、「 ウェファー 」、「 ウェーハ 」、「 ウェーハー 」、「 ウエハ 」、「 ウエハー 」、「 ウエーハ 」、「 ウエーハー 」、「 ウエーファ 」、「 素子ウエハ 」、「 素子ウエハー 」に関する技術用語も検索集合に含みます。

ウェハの特定の技術分野の特許出願動向を調べて欲しい、ウェハの注力領域を知りたいなど、 特許情報調査、解析の相談・お問い合わせも受け付けております。 「お問い合わせフォーム」よりお問い合わせください。

出願件数が最も多い年は 2013年 の2,268件、最も少ない年は 2021年 の530件です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計7,328件)の平均値は1,221件、中央値は1,461件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.6であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 1,221
標準偏差 707
変動係数 0.6

直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2021 年 530 -56.5 %
2020 年 1,218 -28.52 %
2019 年 1,704 -8.58 %

ウェハの過去10年間(2013-01-01〜2023-01-31)の特許検索結果[特許データベース 日本]に対する最新の特許分析情報(IPランドスケープ、パテントマップ・特許マップ)を提供しています。競合各社の特許出願動向、技術動向を比較したり、重要特許を調べることができます。

本サービスは、特許検索・特許分析の「パテント・インテグレーション株式会社」が特許調査・特許分析、IPランドスケープに御活用いただくため、最新の特許データ(日米欧・国際公開)に基づく特許分析レポートを無料で提供しています。

本レポートは、ウェハの特許件数推移および、同業・競合企業との特許件数比較、ウェハの上位共願人(共同研究相手、アライアンス先)、および重要特許といったウェハの知財戦略・知財経営を理解するための基礎的な情報を含んでおり、 IPランドスケープ、特許調査・特許分析、知財ビジネス評価書の作成、M&A候補先の選定、事業提携先の選定など様々な知財業務で自由にご活用いただくことができます。

記事監修:弁理士 大瀬佳之
記事監修:大瀬 佳之 (弁理士)    

スタートアップ企業、新規事業における、発明相談、特許出願、知財戦略などが専門。 オンライン講座のUdemyにて初心者向けの「特許講座」を運営。

特許事務所にて弁理士業務に従事。 東京大学博士課程にて物理学を研究後、精密機器メーカー、大手自動車会社中央研究所にて知財分析、技術動向調査等に従事。

はじめに

近年、「IPランドスケープ(IPL)」という考え方が注目されてきています。

IPランドスケープは、特許情報に限定されず、非特許情報(論文、ニュースリリース、株式情報、マーケット情報)などのビジネス情報を含め統合・分析し、経営戦略・事業戦略 策定に知財情報分析を通じて知財経営を実現していく一連の活動を示します。 知財情報を活用したオープン&クローズ戦略の立案、M&A候補先の選定、事業提携先の探索、知財戦略 策定なども含まれる総合的な考え方で、近年、注目されつつあります。

IPランドスケープには通常、特許調査および特許分析が含まれます。 特許調査・特許分析では、主に技術ごとの企業の市場ポジションおよび技術動向・開発動向の把握、具体的には、自社および他社がどのような知財を保有しており、何が強み・弱みであり、どのように知財活用の取り組みを行おうとしているのか、各企業の事業戦略・知財戦略を理解することが重要といえます。

本調査レポートの内容を確認し、より詳細な特許調査・特許分析に興味・関心を持たれることがあるかもしれません。 弊社は、リーズナブルな価格設定と初心者でも扱いやすい簡単なユーザインタフェースを備えた統合特許検索・特許分析サービス「パテント・インテグレーション」を提供しており、 初心者でもウェブブラウザから短時間で企業・技術ごとの特許情報を調べたり、分析を行うことができます。 詳細な、特許調査、特許分析、IPランドスケープを行う際にはご利用を是非、御検討ください。

パテント・インテグレーションは、数万件の特許集合を視覚的に可視化するパテント・ランドスケープ機能を備えており、 経営戦略や事業戦略の策定に際して、自社および競合企業がどのような技術的ポジションに位置しているか、経営陣、事業責任者に対し説得力をもって示すことができます。

外国特許分析レポート

「ウェハ」について、以下の外国特許分析レポートが見つかりました。 クリックすることで「ウェハ」の各国における特許出願動向を確認できます。

各国の特許出願動向
国名 出願人・権利者名

ウェハ 日本特許件数 推移

ウェハ の過去 20年間 の特許出願件数推移(日本)を以下に示します。

特許件数推移は、特許分析において最も基本的な分析指標です。特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。

本レポートでは、企業・技術ごとの特許件数推移のみしか確認できませんが、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を比較したり短時間で調査を行うことができます。

パテントマップ機能による件数集計

特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。

グラフ種は左上のメニューから選択できます。 データはクリップボード、CSV形式、TSV形式でファイル出力できます。 また、グラフ画像をSVG、PNG、JPG形式でファイル出力できます。 データを利用する際の利用条件は「コンテンツについて」をご確認ください。

検索集合 (分析対象)

本特許分析レポートは、以下の特許データベースを用いて、以下の検索式・分析期間により検索された「15,573件」の特許検索集合を対象に作成されたものです。 特許分析結果、パテントマップ、パテント・ランドスケープなどの特許情報は、IPランドスケープを含め特許調査・分析・知財戦略業務に自由にご利用いただけます。

特許データベース
日本公開・公表・再公表・登録特許
特許検索式
技術分野:
ウェハ
特許分析期間
2013-01-01〜2023-01-31
対象件数
15,573

分析結果は各国特許庁発行の特許公報データに基づき算定しています。

上位企業 詳細   (日本)

東京エレクトロン株式会社 の特許出願傾向

東京エレクトロン株式会社 の分析対象期間(2013〜2023年)の出願件数は 924件 です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計321件)の平均値は53.5件、中央値は40.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.9であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

出願件数が最も多い年は 2013年 の181件、最も少ない年は 2021年 の14件です。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 53.5
標準偏差 48.6
変動係数 0.9
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2021 年 14 -54.8 %
2020 年 31 -38.0 %
2019 年 50 -35.9 %

株式会社日立製作所 の特許出願傾向

株式会社日立製作所 の分析対象期間(2013〜2023年)の出願件数は 19件 です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計3件)の平均値は0.5件、中央値は0.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は1.0であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

出願件数が最も多い年は 2016年 の6件、最も少ない年は 2021年 の0件です。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 0.5
標準偏差 0.5
変動係数 1.0
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2020 年 1 -
2019 年 0 -100 %
2018 年 1 0

株式会社ディスコ の特許出願傾向

株式会社ディスコ の分析対象期間(2013〜2023年)の出願件数は 2,591件 です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計1,526件)の平均値は254件、中央値は310件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.6であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

出願件数が最も多い年は 2019年 の427件、最も少ない年は 2021年 の88件です。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 254
標準偏差 158
変動係数 0.6
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2021 年 88 -67.5 %
2020 年 271 -36.5 %
2019 年 427 +9.49 %

株式会社東芝 の特許出願傾向

株式会社東芝 の分析対象期間(2013〜2023年)の出願件数は 120件 です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計35件)の平均値は5.8件、中央値は5.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.7であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

出願件数が最も多い年は 2013年 の42件、最も少ない年は 2018年 の3件です。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 5.8
標準偏差 4.2
変動係数 0.7
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2021 年 4 -33.3 %
2020 年 6 -53.8 %
2019 年 13 +333 %

株式会社ニコン の特許出願傾向

株式会社ニコン の分析対象期間(2013〜2023年)の出願件数は 232件 です。

過去5年間の出願件数(2017〜2022年、計36件)の平均値は6.0件、中央値は0.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は1.4であり、年ごとの出願件数のばらつきはかなり大きいです。

出願件数が最も多い年は 2013年 の93件、最も少ない年は 2021年 の0件です。

過去5年間(2017〜2022年)の出願情報
指標
平均値 6.0
標準偏差 8.4
変動係数 1.4
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 1 -95.2 %
2018 年 21 +50.0 %
2017 年 14 -57.6 %

重要特許情報   (日本)

ウェハ の日本特許のうち、第三者から無効審判請求や異議申立が提起された特許や、特許審査過程において審査官により引用された重要性が高い特許を以下に示します。

重要特許を確認することで、ウェハが置かれている事業競争環境(熾烈な競争環境か、寡占市場かなど)の知見を得られます。 一般に、無効審判請求が多い企業は知財紛争の多い事業環境で事業を展開していると理解できます。

さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」を利用することで、各企業の被引用、被無効審判特許を検索しダウンロードできます。 他のキーワードや特許分類と掛け合わせることで複数の競合企業を含めた特許集合から重要特許を短時間で抽出できます。重要特許調査へのご活用をご検討ください。

重要特許情報の調査

被引用回数が多い特許、無効審判請求数が多い特許など、短時間で重要特許を調べることができます。 

用語解説

被引用
他の特許(日米欧)の審査過程の拒絶理由通知等に引用された特許(審査官引用)であることを示します。 被引用回数が多いほど、他の特許の拒絶理由通知において引用されたことを示し、重要性が高いと考えられます。
無効審判請求
特許を無効にするための手続きを第三者から請求されたことを示します。 第三者の事業に影響を与える可能性が高く、重要性が高いと考えられます。
異議申立
第三者が特許庁へ、特許の有効性に関して改めて審理するよう申し立てたことを示します。 無効審判同様、重要性が高いと考えられます。
情報提供
出願された特許に対して、第三者が審査に有益な情報を特許庁へ提供したことを示します。 通常、当該特許の権利化を妨げるために行うため、重要性が高いと考えられます。
閲覧請求
第三者が特許庁へ、特許の包袋(特許庁と出願人とが交わした文書一式)を閲覧を請求したことを示します。 無効審判、異議申立、情報提供に先立ち包袋を確認することが多く、重要性が高い特許であると考えられます。

被無効審判請求 特許

直近の 被無効審判請求特許 一覧

直近3年間(2020-02-01〜2023-01-31)に、第三者から 無効審判請求 された特許は 4件 ありました。平均無効審判請求数は 1.5回 です。 最も最近 無効審判請求 された特許は 特許3935188号「レーザ加工装置」(無効審判請求日 2021-09-09)、次は 特許3867108号「レーザ加工装置」(無効審判請求日 2021-08-19)です。

直近の無効審判請求 (2020-02-01〜2023-01-31)
- 特許番号 発明の名称 無効審判請求日
1 特許3935188 レーザ加工装置 2021-09-09
2 特許3867108 レーザ加工装置 2021-08-19
3 特許6642841 こけら葺き状太陽電池モジュール 2021-03-10
4 特許6145808 流体ヒータ 2020-10-07

被無効審判請求数 上位特許

直近10年間(2013-02-01〜2023-01-31)に出願された特許のうち、第三者により 無効審判請求 が1回以上なされた特許は 2件 ありました。平均無効審判請求数は 1.0回 です。 無効審判請求数が多い特許は 特許6145808号「流体ヒータ」(1回)、次に多い特許は 特許6642841号「こけら葺き状太陽電池モジュール」(1回)です。

10年間(2013-02-01〜2023-01-31) 無効審判請求数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特許6145808 流体ヒータ 1
2 特許6642841 こけら葺き状太陽電池モジュール 1

被異議申立 特許

直近の 被異議申立特許 一覧

直近3年間(2020-02-01〜2023-01-31)に、第三者から 異議申立 された特許は 17件 ありました。平均異議申立数は 1.0回 です。 最も最近 異議申立 された特許は 特許7063334号「半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ」(異議申立日 2022-11-02)、次は 特許7048395号「均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法」(異議申立日 2022-10-05)です。

直近の異議申立 (2020-02-01〜2023-01-31)
- 特許番号 発明の名称 異議申立日
1 特許7063334 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ 2022-11-02
2 特許7048395 均一性が改善されたケミカルメカニカルポリッシング層の作製方法 2022-10-05
3 特許7031141 半導体加工用テープ 2022-09-06
4 特許7063493 成膜用冶具及び気相成長装置 2022-08-30
5 特許6996001 エピタキシャル層を有する半導体ウェーハ 2022-07-14
6 特許6993090 CMP研磨パッドのための研磨くず除去溝 2022-07-08
7 特許6939960 ウェハ洗浄水供給装置 2022-03-11
8 特許6871301 スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 2021-11-02
9 特許6859496 ガス孔をもつ半導体製造装置部品の洗浄方法 2021-10-11
10 特許6845418 炭化ケイ素単結晶ウェハ、インゴット及びその製造方法 2021-09-16

5件の特許を表示する  

被情報提供 特許

直近の 被情報提供特許 一覧

直近3年間(2020-02-01〜2023-01-31)に、第三者から 情報提供 された特許は 38件 ありました。平均情報提供数は 1.3回 です。 最も最近 情報提供 された特許は 特開2021-116209号「シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法」(情報提供日 2022-11-24)、次は 特開2019-125691号「半導体装置の製造方法及び半導体用接着剤」(情報提供日 2022-11-15)です。

直近の情報提供 (2020-02-01〜2023-01-31)
- 特許番号 発明の名称 情報提供日
1 特開2021-116209 シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-11-24
2 特開2019-125691 半導体装置の製造方法及び半導体用接着剤 2022-11-15
3 特開2021-086854 試料保持具 2022-11-01
4 特開2021-166308 窒化物半導体発光素子の製造方法 2022-10-14
5 特開2020-050826 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 2022-10-13
6 特開2020-180010 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-10-13
7 特開2020-155708 ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置及び基体構造体 2022-09-30
8 特許7177623 樹脂モールド成形品の製造方法、樹脂モールド成形品、及びその用途。 2022-09-27
9 特表2022-523054 高アスペクト比構造の測定のための中赤外分光法 2022-09-09
10 特許7177244 電子検出のためのセンサ 2022-09-08
11 特開2020-180011 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-08-31
12 再公表2020/004478 静電チャック 2022-08-30
13 特開2020-180012 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-07-28
14 再公表2018/225599 エポキシ樹脂組成物、電子部品実装構造体およびその製造方法 2022-07-27
15 特開2020-191376 両面研磨装置用キャリアおよびその製造方法 2022-07-21
16 特開2021-002607 ボール搭載方法およびボール搭載装置 2022-07-12
17 特許7190841 SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 2022-06-10
18 特開2020-132479 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-06-01
19 特開2020-136603 ワーク搬送用ハンド及びボール搭載装置 2022-01-05
20 特許7018168 感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及びプリント配線板の製造方法 2021-12-24

15件の特許を表示する  

被情報提供数 上位特許

直近10年間(2013-02-01〜2023-01-31)に出願された特許のうち、第三者により 情報提供 が1回以上なされた特許は 98件 ありました。平均情報提供数は 1.3回 です。 情報提供数が多い特許は 再公表2015/111134号「窒化物半導体発光素子」(4回)、次に多い特許は 特許7018168号「感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及びプリント配線板の製造方法」(4回)です。

10年間(2013-02-01〜2023-01-31) 情報提供数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 再公表2015/111134 窒化物半導体発光素子 4
2 特許7018168 感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及びプリント配線板の製造方法 4
3 再公表2018/225599 エポキシ樹脂組成物、電子部品実装構造体およびその製造方法 3
4 特許6636696 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置 3
5 特許6457390 電極の製造における銀ナノ粒子及び球形の銀ミクロ粒子を含む導電性ペースト 3

被閲覧請求 特許

直近の 被閲覧請求特許 一覧

直近3年間(2020-02-01〜2023-01-31)に、第三者から 閲覧請求 された特許は 78件 ありました。平均閲覧請求数は 2.0回 です。 最も最近 閲覧請求 された特許は 特開2021-116209号「シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法」(閲覧請求日 2022-12-13)、次は 特開2020-109837号「2D材料の大量組み立てのための方法及びシステム」(閲覧請求日 2022-12-05)です。

直近の閲覧請求 (2020-02-01〜2023-01-31)
- 特許番号 発明の名称 閲覧請求日
1 特開2021-116209 シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-12-13
2 特開2020-109837 2D材料の大量組み立てのための方法及びシステム 2022-12-05
3 特開2019-125691 半導体装置の製造方法及び半導体用接着剤 2022-11-25
4 特開2020-050826 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 2022-11-25
5 特開2021-086854 試料保持具 2022-11-21
6 特開2020-180012 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-11-04
7 特開2020-180010 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-11-01
8 特許7168582 プロファイルされたスパッタリングターゲット及びその製造方法 2022-10-25
9 特許4623321 水晶ブランクの製造方法及び、水晶ブランクを利用した水晶振動子の製造方法 2022-10-24
10 特開2021-166308 窒化物半導体発光素子の製造方法 2022-10-19
11 特表2022-523054 高アスペクト比構造の測定のための中赤外分光法 2022-10-17
12 特開2020-155708 ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置及び基体構造体 2022-10-05
13 再公表2020/004478 静電チャック 2022-10-05
14 特開2020-180011 シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 2022-09-20
15 特許7177244 電子検出のためのセンサ 2022-09-12
16 特開2019-035954 多レベル回折光学素子の薄膜コーティング 2022-08-17
17 特開2020-191376 両面研磨装置用キャリアおよびその製造方法 2022-08-16
18 特開2021-191894 レーザー堆積中の基板の応力制御方法 2022-08-16
19 特開2021-002607 ボール搭載方法およびボール搭載装置 2022-08-15
20 再公表2018/225599 エポキシ樹脂組成物、電子部品実装構造体およびその製造方法 2022-08-05

15件の特許を表示する  

被閲覧請求数 上位特許

直近10年間(2013-02-01〜2023-01-31)に出願された特許のうち、第三者により 閲覧請求 が1回以上なされた特許は 281件 ありました。平均閲覧請求数は 1.3回 です。 閲覧請求数が多い特許は 特許7018168号「感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及びプリント配線板の製造方法」(8回)、次に多い特許は 再公表2015/111134号「窒化物半導体発光素子」(7回)です。

10年間(2013-02-01〜2023-01-31) 閲覧請求数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特許7018168 感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及びプリント配線板の製造方法 8
2 再公表2015/111134 窒化物半導体発光素子 7
3 再公表2018/225599 エポキシ樹脂組成物、電子部品実装構造体およびその製造方法 4
4 特許6377368 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム 4
5 特許6904899 昇華による大径シリコンカーバイド結晶の製造方法及び関連する半導体SICウェハ 4

被引用 特許

被引用数 上位特許

直近10年間(2013-02-01〜2023-01-31)に出願された特許のうち、他の特許の審査過程において1回以上 引用 された特許は 4,193件 ありました。平均被引用数は 2.8回 です。 被引用数が多い特許は 特許5837012号「モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム」(136回)、次に多い特許は 特許5802323号「エッチング処理方法」(102回)です。

10年間(2013-02-01〜2023-01-31) 被引用数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特許5837012 モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム 136
2 特許5802323 エッチング処理方法 102
3 特開2014-239123 加工方法 87
4 特許6640780 半導体装置の製造方法および半導体装置 64
5 特許6203152 半導体記憶装置の製造方法 46

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