最終更新日:2021/10/04

ウェーハー (特許分析レポート・日本)

技術分野「ウェーハー」の直近(2020-01-01〜2020-01-31)の特許出願件数は 15件 です。前年同期間(2019-01-01〜2019-01-31)の特許出願件数 42件 に比べて -27件(-64.3%) と大幅に減少しています。 本レポートは、「 ウェハー 」、「 ウェファー 」、「 ウェーハ 」、「 ウェーハー 」、「 ウエハ 」、「 ウエハー 」、「 ウエーハ 」、「 ウエーハー 」、「 ウエーファ 」、「 素子ウエハ 」、「 素子ウエハー 」に関する技術用語も検索集合に含みます。

出願件数が最も多い年は 2019年 の562件、最も少ない年は 2015年 の351件です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計2,223件)の平均値は445件、中央値は418件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.20であり、年ごとの出願件数のばらつきは小さいです。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 445
標準偏差 89.2
変動係数 0.20

直近3年間(2017〜2019年)の出願件数は増加傾向です。

直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 562 +4.66 %
2018 年 537 +28.47 %
2017 年 418 +17.75 %

ウェーハーの過去10年間(2011-01-01〜2021-09-30)の特許検索結果[特許データベース 日本]に対する最新の特許分析情報(IPランドスケープ、パテントマップ・特許マップ)を提供しています。競合各社の特許出願動向、技術動向を比較したり、重要特許を調べることができます。

本サービスは、特許検索・特許分析の「パテント・インテグレーション株式会社」が特許調査・特許分析、IPランドスケープに御活用いただくため、最新の特許データ(日米欧・国際公開)に基づく特許分析レポートを無料で提供しています。

本レポートは、ウェーハーの特許件数推移および、同業・競合企業との特許件数比較、ウェーハーの上位共願人(共同研究相手、アライアンス先)、および重要特許といったウェーハーの知財戦略・知財経営を理解するための基礎的な情報を含んでおり、 IPランドスケープ、特許調査・特許分析、知財ビジネス評価書の作成、M&A候補先の選定、事業提携先の選定など様々な知財業務で自由にご活用いただくことができます。

記事監修:弁理士 大瀬佳之
記事監修:大瀬 佳之 (弁理士)      

東京大学博士課程にて物理学を研究後、精密機器メーカー、大手自動車会社中央研究所にて知財分析、技術動向調査等に従事。 現在は、IT x スタートアップ特化の特許事務所「IPTech特許業務法人」所属の弁理士。

スタートアップ企業、新規事業における、発明相談、特許出願、知財戦略などが専門。 オンライン講座のUdemyにて初心者向けの「特許講座」を運営。 ご連絡は、TwitterのDM、LinkedIn、またはIPTech特許業務法人からお気軽に。

はじめに

近年、「IPランドスケープ(IPL)」という考え方が注目されてきています。

IPランドスケープは、特許情報に限定されず、非特許情報(論文、ニュースリリース、株式情報、マーケット情報)などのビジネス情報を含め統合・分析し、経営戦略・事業戦略 策定に知財情報分析を通じて知財経営を実現していく一連の活動を示します。 知財情報を活用したオープン&クローズ戦略の立案、M&A候補先の選定、事業提携先の探索、知財戦略 策定なども含まれる総合的な考え方で、近年、注目されつつあります。

IPランドスケープには通常、特許調査および特許分析が含まれます。 特許調査・特許分析では、主に技術ごとの企業の市場ポジションおよび技術動向・開発動向の把握、具体的には、自社および他社がどのような知財を保有しており、何が強み・弱みであり、どのように知財活用の取り組みを行おうとしているのか、各企業の事業戦略・知財戦略を理解することが重要といえます。

本調査レポートの内容を確認し、より詳細な特許調査・特許分析に興味・関心を持たれることがあるかもしれません。 弊社は、リーズナブルな価格設定と初心者でも扱いやすい簡単なユーザインタフェースを備えた統合特許検索・特許分析サービス「パテント・インテグレーション」を提供しており、 初心者でもウェブブラウザから短時間で企業・技術ごとの特許情報を調べたり、分析を行うことができます。 詳細な、特許調査、特許分析、IPランドスケープを行う際にはご利用を是非、御検討ください。

パテント・インテグレーションは、数万件の特許集合を視覚的に可視化するパテント・ランドスケープ機能を備えており、 経営戦略や事業戦略の策定に際して、自社および競合企業がどのような技術的ポジションに位置しているか、経営陣、事業責任者に対し説得力をもって示すことができます。

外国特許分析レポート

「ウェーハー」について、以下の外国特許分析レポートが見つかりました。 クリックすることで「ウェーハー」の各国における特許出願動向を確認できます。

各国の特許出願動向
国名 出願人・権利者名

ウェーハー 日本特許件数 推移

ウェーハー の過去 20年間 の特許出願件数推移(日本)を以下に示します。

特許件数推移は、特許分析において最も基本的な分析指標です。特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。

本レポートでは、企業・技術ごとの特許件数推移のみしか確認できませんが、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を比較したり短時間で調査を行うことができます。

パテントマップ機能による件数集計

特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。

グラフ種は左上のメニューから選択できます。 データはクリップボード、CSV形式、TSV形式でファイル出力できます。 また、グラフ画像をSVG、PNG、JPG形式でファイル出力できます。 データを利用する際の利用条件は「コンテンツについて」をご確認ください。

検索集合 (分析対象)

本特許分析レポートは、以下の特許データベースを用いて、以下の検索式・分析期間により検索された「3,993件」の特許検索集合を対象に作成されたものです。 特許分析結果、パテントマップ、パテント・ランドスケープなどの特許情報は、IPランドスケープを含め特許調査・分析・知財戦略業務に自由にご利用いただけます。

特許データベース
日本公開・公表・再公表・登録特許
特許検索式
技術分野:
ウェーハー
特許分析期間
2011-01-01〜2021-09-30
対象件数
3,993

分析結果は各国特許庁発行の特許公報データに基づき算定しています。

上位企業 情報  (日本)

ウェーハーと同業種の他の企業(競合他社)の特許件数および件数推移を以下に示します。

同業・競合企業との特許件数推移の比較は、各社の知財戦略を理解する上で重要な分析指標となります。同業・競合企業ごとの特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。

なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。

さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を短時間で比較できます。M&A候補先、アライアンス先の選定などより詳細な特許情報分析にご活用ください。

共同出願人の調査

パテント・インテグレーションを利用することで、短時間で共同出願人を調べることができます。 

直近3年間(2019〜2021年)の特許出願傾向

上位共願人のうち、直近3年間(2019〜2021年)において、出願件数が最も多いのは 株式会社ディスコ の386件、次に多いのは 株式会社SUMCO の53件です。

直近3年間(2019〜2021年)の特許出願傾向
名前・名称 件数
株式会社ディスコ 386
株式会社SUMCO 53
信越半導体株式会社 50
株式会社東京精密 21
株式会社東芝 15

対象期間(2011〜2021年)の特許出願傾向

上位共願人のうち、対象期間(2011〜2021年)において、出願件数が最も多いのは 株式会社ディスコ の1,328件、次に多いのは 信越半導体株式会社 の399件です。

対象期間(2011〜2021年)の特許出願傾向
名前・名称 件数
株式会社ディスコ 1,328
信越半導体株式会社 399
株式会社SUMCO 393
株式会社東京精密 168
株式会社東芝 132
株式会社日立国際電気 10
富士通株式会社 4

上位企業 日本特許件数 推移

ウェーハー の過去20年間の 上位共願人7社 の日本特許の出願件数推移を示すパテントマップを以下に示します。

グラフ種は左上のメニューから選択できます。 データはクリップボード、CSV形式、TSV形式でファイル出力できます。 また、グラフ画像をSVG、PNG、JPG形式でファイル出力できます。 データを利用する際の利用条件は「コンテンツについて」をご確認ください。

上位企業 詳細   (日本)

株式会社ディスコ の特許出願傾向

株式会社ディスコ の分析対象期間(2011〜2021年)の出願件数は 1,328件 です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計939件)の平均値は188件、中央値は159件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.6であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

直近3年間(2017〜2019年)の出願件数は増加傾向です。 出願件数が最も多い年は 2019年 の349件、最も少ない年は 2011年 の41件です。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 188
標準偏差 113
変動係数 0.6
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 349 +21.60 %
2018 年 287 +80.5 %
2017 年 159 +80.7 %

株式会社SUMCO の特許出願傾向

株式会社SUMCO の分析対象期間(2011〜2021年)の出願件数は 393件 です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計262件)の平均値は52.4件、中央値は50.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.08であり、年ごとの出願件数のばらつきは小さいです。

出願件数が最も多い年は 2016年 の59件、最も少ない年は 2013年 の21件です。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 52.4
標準偏差 4.3
変動係数 0.08
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 49 +2.08 %
2018 年 48 -14.29 %
2017 年 56 -5.08 %

信越半導体株式会社 の特許出願傾向

信越半導体株式会社 の分析対象期間(2011〜2021年)の出願件数は 399件 です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計188件)の平均値は37.6件、中央値は38.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.10であり、年ごとの出願件数のばらつきは小さいです。

直近3年間(2017〜2019年)の出願件数は増加傾向です。 出願件数が最も多い年は 2013年 の61件、最も少ない年は 2017年 の31件です。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 37.6
標準偏差 3.7
変動係数 0.10
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 41 +10.81 %
2018 年 37 +19.35 %
2017 年 31 -18.42 %

株式会社東芝 の特許出願傾向

株式会社東芝 の分析対象期間(2011〜2021年)の出願件数は 132件 です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計24件)の平均値は4.8件、中央値は4.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.9であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。

出願件数が最も多い年は 2012年 の34件、最も少ない年は 2018年 の1件です。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 4.8
標準偏差 4.3
変動係数 0.9
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 13 +1,200 %
2018 年 1 -75.0 %
2017 年 4 +100 %

株式会社東京精密 の特許出願傾向

株式会社東京精密 の分析対象期間(2011〜2021年)の出願件数は 168件 です。

過去5年間の出願件数(2015〜2019年、計118件)の平均値は23.6件、中央値は21.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.25であり、年ごとの出願件数のばらつきは小さいです。

出願件数が最も多い年は 2015年 の31件、最も少ない年は 2014年 の8件です。

過去5年間(2015〜2019年)の出願情報
指標
平均値 23.6
標準偏差 5.8
変動係数 0.25
直近3年間の出願傾向
件数 前年比
2019 年 17 -19.05 %
2018 年 21 +10.53 %
2017 年 19 -36.7 %

重要特許情報   (日本)

ウェーハー の日本特許のうち、第三者から無効審判請求や異議申立が提起された特許や、特許審査過程において審査官により引用された重要性が高い特許を以下に示します。

重要特許を確認することで、ウェーハーが置かれている事業競争環境(熾烈な競争環境か、寡占市場かなど)の知見を得られます。 一般に、無効審判請求が多い企業は知財紛争の多い事業環境で事業を展開していると理解できます。

さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」を利用することで、各企業の被引用、被無効審判特許を検索しダウンロードできます。 他のキーワードや特許分類と掛け合わせることで複数の競合企業を含めた特許集合から重要特許を短時間で抽出できます。重要特許調査へのご活用をご検討ください。

重要特許情報の調査

被引用回数が多い特許、無効審判請求数が多い特許など、短時間で重要特許を調べることができます。 

用語解説

被引用
他の特許(日米欧)の審査過程の拒絶理由通知等に引用された特許(審査官引用)であることを示します。 被引用回数が多いほど、他の特許の拒絶理由通知において引用されたことを示し、重要性が高いと考えられます。
無効審判請求
特許を無効にするための手続きを第三者から請求されたことを示します。 第三者の事業に影響を与える可能性が高く、重要性が高いと考えられます。
異議申立
第三者が特許庁へ、特許の有効性に関して改めて審理するよう申し立てたことを示します。 無効審判同様、重要性が高いと考えられます。
情報提供
出願された特許に対して、第三者が審査に有益な情報を特許庁へ提供したことを示します。 通常、当該特許の権利化を妨げるために行うため、重要性が高いと考えられます。
閲覧請求
第三者が特許庁へ、特許の包袋(特許庁と出願人とが交わした文書一式)を閲覧を請求したことを示します。 無効審判、異議申立、情報提供に先立ち包袋を確認することが多く、重要性が高い特許であると考えられます。

被異議申立 特許

直近の 被異議申立特許 一覧

直近3年間(2018-10-01〜2021-09-30)に、第三者から 異議申立 された特許は 1件 ありました。平均異議申立数は 1.0回 です。 最も最近 異議申立 された特許は 特許6349750号「EFEM」(異議申立日 2018-11-28)です。

直近の異議申立 (2018-10-01〜2021-09-30)
- 特許番号 発明の名称 異議申立日
1 特許6349750 EFEM 2018-11-28

被情報提供 特許

直近の 被情報提供特許 一覧

直近3年間(2018-10-01〜2021-09-30)に、第三者から 情報提供 された特許は 13件 ありました。平均情報提供数は 1.2回 です。 最も最近 情報提供 された特許は 特開2020-144134号「物質の少なくとも1つの特性を決定するためのシステムおよび方法」(情報提供日 2021-08-11)、次は 特開2021-070152号「研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法」(情報提供日 2021-07-28)です。

直近の情報提供 (2018-10-01〜2021-09-30)
- 特許番号 発明の名称 情報提供日
1 特開2020-144134 物質の少なくとも1つの特性を決定するためのシステムおよび方法 2021-08-11
2 特開2021-070152 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 2021-07-28
3 特開2019-186490 キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 2021-06-04
4 特開2019-084613 研削ホイール 2020-09-28
5 特開2019-081218 保護部材の加工方法 2020-08-27
6 特開2019-062146 保護部材の加工方法 2020-08-27
7 特開2019-081219 保護部材の加工方法 2020-08-27
8 特開2019-081216 保護部材の加工方法 2020-08-27
9 特開2019-081217 保護部材の加工方法 2020-08-27
10 特開2019-142771 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 2020-06-18
11 特許6833754 セラミックヒーター 2020-01-30
12 特許6709176 基板収納容器の管理方法 2019-06-21
13 特許6583482 EFEM 2018-12-13

8件の特許を表示する  

被情報提供数 上位特許

直近10年間(2011-10-01〜2021-09-30)に出願された特許のうち、第三者により 情報提供 が1回以上なされた特許は 23件 ありました。平均情報提供数は 1.3回 です。 情報提供数が多い特許は 特許6457390号「電極の製造における銀ナノ粒子及び球形の銀ミクロ粒子を含む導電性ペースト」(3回)、次に多い特許は 特開2019-186490号「キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法」(3回)です。

10年間(2011-10-01〜2021-09-30) 情報提供数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特許6457390 電極の製造における銀ナノ粒子及び球形の銀ミクロ粒子を含む導電性ペースト 3
2 特開2019-186490 キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 3
3 特許6218354 絶縁材料、多層フィルムの製造方法、積層体の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法 2
4 特許5694253 半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ 2
5 特許6131534 パージノズルユニット、ロードポート、載置台、ストッカー 2

被閲覧請求 特許

直近の 被閲覧請求特許 一覧

直近3年間(2018-10-01〜2021-09-30)に、第三者から 閲覧請求 された特許は 25件 ありました。平均閲覧請求数は 1.6回 です。 最も最近 閲覧請求 された特許は 特開2020-144134号「物質の少なくとも1つの特性を決定するためのシステムおよび方法」(閲覧請求日 2021-09-15)、次は 特開2019-186490号「キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法」(閲覧請求日 2021-07-28)です。

直近の閲覧請求 (2018-10-01〜2021-09-30)
- 特許番号 発明の名称 閲覧請求日
1 特開2020-144134 物質の少なくとも1つの特性を決定するためのシステムおよび方法 2021-09-15
2 特開2019-186490 キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 2021-07-28
3 特許6902017 材料除去のための半導体デバイス処理方法 2021-03-17
4 特開2019-081218 保護部材の加工方法 2020-09-15
5 特開2019-062146 保護部材の加工方法 2020-09-15
6 特開2019-081219 保護部材の加工方法 2020-09-15
7 特開2019-081216 保護部材の加工方法 2020-09-15
8 特開2019-081217 保護部材の加工方法 2020-09-15
9 特許6833754 セラミックヒーター 2020-08-31
10 特開2019-142771 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 2020-07-02
11 特許6124156 静電チャックおよびウェーハ処理装置 2020-03-26
12 特許6712903 ダミーパターン発生方法 2019-12-03
13 特表2017-527997 基板容器 2019-10-30
14 特許6349750 EFEM 2019-07-04
15 特許6709176 基板収納容器の管理方法 2019-06-25
16 特許6669581 多層チャネル及び電荷トラップ層を有するメモリデバイス 2019-05-15
17 特許4378135 化学的機械研磨システムの支持ヘッド用メンブレン 2019-02-25
18 特許6583482 EFEM 2019-01-31
19 特許4647061 半導体デバイス内のスクライブストリートシール及び製造方法 2018-12-12
20 特開2016-201551 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置 2018-12-06

15件の特許を表示する  

被閲覧請求数 上位特許

直近10年間(2011-10-01〜2021-09-30)に出願された特許のうち、第三者により 閲覧請求 が1回以上なされた特許は 65件 ありました。平均閲覧請求数は 1.9回 です。 閲覧請求数が多い特許は 特許5820308号「静電チャック及びウェーハを支持する方法。」(10回)、次に多い特許は 特開2014-225023号「光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト」(6回)です。

10年間(2011-10-01〜2021-09-30) 閲覧請求数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特許5820308 静電チャック及びウェーハを支持する方法。 10
2 特開2014-225023 光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト 6
3 特許5699072 リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 4
4 特許6218354 絶縁材料、多層フィルムの製造方法、積層体の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法 4
5 特許6197970 分割起点形成方法及び分割起点形成装置 4

被引用 特許

被引用数 上位特許

直近10年間(2011-10-01〜2021-09-30)に出願された特許のうち、他の特許の審査過程において1回以上 引用 された特許は 899件 ありました。平均被引用数は 2.5回 です。 被引用数が多い特許は 特開2014-236034号「ウェーハの加工方法」(35回)、次に多い特許は 特許6466653号「窒化物半導体発光素子、および窒化物半導体ウェーハ」(28回)です。

10年間(2011-10-01〜2021-09-30) 被引用数上位特許
- 特許番号 発明の名称 #
1 特開2014-236034 ウェーハの加工方法 35
2 特許6466653 窒化物半導体発光素子、および窒化物半導体ウェーハ 28
3 特許6203152 半導体記憶装置の製造方法 27
4 特開2012-119673 半導体発光素子に蛍光体を塗布する方法 23
5 特許6015598 インゴットの切断方法及びワイヤソー 21

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