本レポートは、SDGs(持続可能な開発目標)の目標(ゴール)である『』に含まれる具体目標(ターゲット)の『』(以下、「単結晶」と略します)に関して、出願件数推移、出願企業等の情報を提供する特許分析レポートです。
技術分野「単結晶」の直近(2022-01-01〜2022-08-31)の特許出願件数は 306件 です。前年同期間(2021-01-01〜2021-08-31)の特許出願件数 374件 に比べて -68件(-18.2%) と減少傾向で推移しています。 本レポートは、「 モノクリスタル 」に関する技術用語も検索集合に含みます。
出願件数が最も多い年は 2015年 の1,021件、最も少ない年は 2022年 の388件です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計3,124件)の平均値は521件、中央値は590件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.5であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 521 件 |
標準偏差 | 255 |
変動係数 | 0.5 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 388 件 | -29.33 % |
2021 年 | 549 件 | -13.00 % |
2020 年 | 631 件 | -10.50 % |
単結晶の過去10年間(2014-01-01〜2024-04-30)の特許検索結果[特許データベース 日本]に対する最新の特許分析情報(IPランドスケープ、パテントマップ・特許マップ)を提供しています。競合各社の特許出願動向、技術動向を比較したり、重要特許を調べることができます。
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本レポートは、単結晶の特許件数推移および、同業・競合企業との特許件数比較、単結晶の上位共願人(共同研究相手、アライアンス先)、および重要特許といった単結晶の知財戦略・知財経営を理解するための基礎的な情報を含んでおり、 IPランドスケープ、特許調査・特許分析、知財ビジネス評価書の作成、M&A候補先の選定、事業提携先の選定など様々な知財業務で自由にご活用いただくことができます。
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単結晶 の過去 20年間 の特許出願件数推移(日本)を以下に示します。
特許件数推移は、特許分析において最も基本的な分析指標です。特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。
本レポートでは、企業・技術ごとの特許件数推移のみしか確認できませんが、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を比較したり短時間で調査を行うことができます。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
本特許分析レポートは、以下の特許データベースを用いて、以下の検索式・分析期間により検索された「6,927件」の特許検索集合を対象に作成されたものです。 特許分析結果、パテントマップ、パテント・ランドスケープなどの特許情報は、IPランドスケープを含め特許調査・分析・知財戦略業務に自由にご利用いただけます。
単結晶と同業種の他の企業(競合他社)の特許件数および件数推移を以下に示します。
同業・競合企業との特許件数推移の比較は、各社の知財戦略を理解する上で重要な分析指標となります。同業・競合企業ごとの特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。
なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。
さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を短時間で比較できます。M&A候補先、アライアンス先の選定などより詳細な特許情報分析にご活用ください。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
各企業の出願件数を比較すると、直近3年間(2022〜2024年)において、出願件数が最も多いのは 信越半導体株式会社 の28件、次に多いのは 株式会社SUMCO の24件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
信越半導体株式会社 | 28 件 |
株式会社SUMCO | 24 件 |
セイコーエプソン株式会社 | 9 件 |
キヤノン株式会社 | 5 件 |
住友電気工業株式会社 | 5 件 |
株式会社東芝 | 1 件 |
富士通株式会社 | 1 件 |
パナソニックホールディングス株式会社 | 1 件 |
各企業の出願件数を比較すると、対象期間(2014〜2024年)において、出願件数が最も多いのは 株式会社SUMCO の403件、次に多いのは 信越半導体株式会社 の340件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
株式会社SUMCO | 403 件 |
信越半導体株式会社 | 340 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 263 件 |
住友電気工業株式会社 | 231 件 |
セイコーエプソン株式会社 | 102 件 |
株式会社東芝 | 43 件 |
キヤノン株式会社 | 38 件 |
パナソニックホールディングス株式会社 | 24 件 |
富士通株式会社 | 20 件 |
株式会社日立製作所 | 17 件 |
日本電気株式会社 | 3 件 |
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
同業11社 の 過去20年間の日本特許の出願件数推移を示すパテントマップを以下に示します。
単結晶と同業種の他の企業(競合他社)の特許件数および件数推移を以下に示します。
同業・競合企業との特許件数推移の比較は、各社の知財戦略を理解する上で重要な分析指標となります。同業・競合企業ごとの特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。
なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。
さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を短時間で比較できます。M&A候補先、アライアンス先の選定などより詳細な特許情報分析にご活用ください。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
上位共願人のうち、直近3年間(2022〜2024年)において、出願件数が最も多いのは 信越半導体株式会社 の28件、次に多いのは セイコーエプソン株式会社 の9件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
信越半導体株式会社 | 28 件 |
セイコーエプソン株式会社 | 9 件 |
キヤノン株式会社 | 5 件 |
住友電気工業株式会社 | 5 件 |
株式会社東芝 | 1 件 |
上位共願人のうち、対象期間(2014〜2024年)において、出願件数が最も多いのは 信越半導体株式会社 の340件、次に多いのは 株式会社半導体エネルギー研究所 の263件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
信越半導体株式会社 | 340 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 263 件 |
住友電気工業株式会社 | 231 件 |
セイコーエプソン株式会社 | 102 件 |
株式会社東芝 | 43 件 |
キヤノン株式会社 | 38 件 |
株式会社日立製作所 | 17 件 |
単結晶 の過去20年間の 上位共願人7社 の日本特許の出願件数ランキングを以下に示します。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
単結晶 の過去20年間の 上位共願人7社 の日本特許の出願件数推移を示すパテントマップを以下に示します。
株式会社東芝 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 43件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計10件)の平均値は1.7件、中央値は1.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は1.1であり、年ごとの出願件数のばらつきはかなり大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2014年 の11件、最も少ない年は 2020年 の0件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 1.7 件 |
標準偏差 | 1.8 |
変動係数 | 1.1 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 1 件 | -66.7 % |
2021 年 | 3 件 | - |
2020 年 | 0 件 | -100 % |
キヤノン株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 38件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計19件)の平均値は3.2件、中央値は3.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.6であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2014年 の7件、最も少ない年は 2017年 の1件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 3.2 件 |
標準偏差 | 1.8 |
変動係数 | 0.6 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 5 件 | +25.00 % |
2021 年 | 4 件 | -20.00 % |
2020 年 | 5 件 | +66.7 % |
セイコーエプソン株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 102件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計47件)の平均値は7.8件、中央値は8.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.6であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は増加傾向です。 出願件数が最も多い年は 2017年 の23件、最も少ない年は 2016年 の2件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 7.8 件 |
標準偏差 | 5.1 |
変動係数 | 0.6 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 9 件 | +12.50 % |
2021 年 | 8 件 | +60.0 % |
2020 年 | 5 件 | -37.5 % |
信越半導体株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 340件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計176件)の平均値は29.3件、中央値は34.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.5であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2016年 の51件、最も少ない年は 2017年 の26件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 29.3 件 |
標準偏差 | 13.7 |
変動係数 | 0.5 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 27 件 | -32.5 % |
2021 年 | 40 件 | +2.56 % |
2020 年 | 39 件 | +34.5 % |
住友電気工業株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 231件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計52件)の平均値は8.7件、中央値は5.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は1.2であり、年ごとの出願件数のばらつきはかなり大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2015年 の64件、最も少ない年は 2021年 の2件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 8.7 件 |
標準偏差 | 10.0 |
変動係数 | 1.2 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 5 件 | +150 % |
2021 年 | 2 件 | -60.0 % |
2020 年 | 5 件 | -50.0 % |
単結晶 の日本特許のうち、第三者から無効審判請求や異議申立が提起された特許や、特許審査過程において審査官により引用された重要性が高い特許を以下に示します。
重要特許を確認することで、単結晶が置かれている事業競争環境(熾烈な競争環境か、寡占市場かなど)の知見を得られます。 一般に、無効審判請求が多い企業は知財紛争の多い事業環境で事業を展開していると理解できます。
さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」を利用することで、各企業の被引用、被無効審判特許を検索しダウンロードできます。 他のキーワードや特許分類と掛け合わせることで複数の競合企業を含めた特許集合から重要特許を短時間で抽出できます。重要特許調査へのご活用をご検討ください。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
直近3年間(2021-05-01〜2024-04-30)に、第三者から 異議申立 された特許は 12件 ありました。平均異議申立数は 1.0回 です。 最も最近 異議申立 された特許は 特許7264627号「セラミック板、半導体装置および半導体モジュール」(異議申立日 2023-10-23)、次は 特許7157356号「光学部品及び光学部品の製造方法」(異議申立日 2023-02-27)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 異議申立日 |
---|---|---|---|
1 | 特許7264627 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール | 2023-10-23 |
2 | 特許7157356 | 光学部品及び光学部品の製造方法 | 2023-02-27 |
3 | 特許7097480 | X線管、X線発生装置、及び窓部材の製造方法 | 2023-01-06 |
4 | 特許6996001 | エピタキシャル層を有する半導体ウェーハ | 2022-07-14 |
5 | 特許6992364 | 窒化ケイ素焼結基板 | 2022-07-08 |
6 | 特許6948441 | 低Co水素吸蔵合金粉末 | 2022-03-31 |
7 | 特許6905719 | 六方晶窒化ホウ素単結晶、該六方晶窒化ホウ素単結晶を配合した複合材組成物および該複合材組成物を成形してなる放熱部材 | 2022-01-20 |
8 | 特許6922054 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 | 2022-01-20 |
9 | 特許6905156 | 充電式リチウムイオン電池用の正極材料及びその製造方法 | 2022-01-14 |
10 | 特許6884898 | 研磨用組成物 | 2021-12-07 |
直近3年間(2021-05-01〜2024-04-30)に、第三者から 情報提供 された特許は 16件 ありました。平均情報提供数は 1.4回 です。 最も最近 情報提供 された特許は 特開2022-147881号「Ga2O3系単結晶基板並びにGa2O3系単結晶基板の製造方法」(情報提供日 2023-12-20)、次は 特開2023-093304号「HVPE法によるGa2O3結晶膜の蒸着方法、蒸着装置、および、これを用いて得られたGa2O3結晶膜蒸着基板」(情報提供日 2023-12-20)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 情報提供日 |
---|---|---|---|
1 | 特開2022-147881 | Ga2O3系単結晶基板並びにGa2O3系単結晶基板の製造方法 | 2023-12-20 |
2 | 特開2023-093304 | HVPE法によるGa2O3結晶膜の蒸着方法、蒸着装置、および、これを用いて得られたGa2O3結晶膜蒸着基板 | 2023-12-20 |
3 | 特許7483240 | 単結晶成長装置およびIII-V族半導体単結晶の製造方法 | 2023-10-24 |
4 | 特開2023-093552 | 電子エミッタ及びそれを製作する方法 | 2023-09-25 |
5 | 特開2022-003004 | ポリシリコンロッド及びポリシリコンロッド製造方法 | 2023-07-25 |
6 | 特表2023-511769 | 水溶性有機‐無機ハイブリッドマスク配合物及びその用途 | 2023-07-13 |
7 | 特許7264627 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール | 2023-01-17 |
8 | 特開2022-159501 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコンロッドおよびその製造方法 | 2022-11-28 |
9 | 特許7283040 | 熱可塑性樹脂フィルム | 2022-10-27 |
10 | 特許7202393 | 充電式リチウムイオン電池用の正極材料を調製する方法 | 2022-07-26 |
11 | 特許7337339 | 膜厚センサ素子 | 2022-07-08 |
12 | 特許7190841 | SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 | 2022-06-10 |
13 | 特許6762484 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | 2021-11-29 |
14 | 特許7157898 | 波長変換部材 | 2021-10-05 |
15 | 特許7128124 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコンロッドおよびその製造方法 | 2021-07-29 |
16 | 特許7178074 | 波長変換部材及び波長変換素子、並びに波長変換部材の製造方法 | 2021-06-24 |
直近10年間(2014-05-01〜2024-04-30)に出願された特許のうち、第三者により 情報提供 が1回以上なされた特許は 51件 ありました。平均情報提供数は 1.4回 です。 情報提供数が多い特許は 特許7264627号「セラミック板、半導体装置および半導体モジュール」(4回)、次に多い特許は 特許6472732号「樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊」(3回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 特許7264627 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール | 4 回 |
2 | 特許6472732 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 | 3 回 |
3 | 特許7283040 | 熱可塑性樹脂フィルム | 3 回 |
4 | 特開2017-122028 | 窒化アルミニウム単結晶 | 2 回 |
5 | 特開2017-108179 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2 回 |
直近3年間(2021-05-01〜2024-04-30)に、第三者から 閲覧請求 された特許は 43件 ありました。平均閲覧請求数は 1.6回 です。 最も最近 閲覧請求 された特許は 特開2022-147881号「Ga2O3系単結晶基板並びにGa2O3系単結晶基板の製造方法」(閲覧請求日 2024-01-25)、次は 特許4729766号「超電導酸化物材料の製造方法」(閲覧請求日 2024-01-17)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 閲覧請求日 |
---|---|---|---|
1 | 特開2022-147881 | Ga2O3系単結晶基板並びにGa2O3系単結晶基板の製造方法 | 2024-01-25 |
2 | 特許4729766 | 超電導酸化物材料の製造方法 | 2024-01-17 |
3 | 特開2021-027358 | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 | 2023-12-21 |
4 | 特許6054235 | SiC種結晶及びSiC単結晶の製造方法 | 2023-11-09 |
5 | 特許7364804 | イオン伝導性材料、イオン伝導性材料を含む電解質、およびその形成方法 | 2023-10-05 |
6 | 特許6575580 | 照明装置 | 2023-08-21 |
7 | 特許6728395 | ダイヤモンド工具ピース | 2023-08-21 |
8 | 特表2023-511769 | 水溶性有機‐無機ハイブリッドマスク配合物及びその用途 | 2023-08-10 |
9 | 特開2017-108179 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 | 2023-08-09 |
10 | 特許5554449 | ダイヤモンド工具 | 2023-08-04 |
11 | 特許5874932 | ダイヤモンド材料の処理方法及び得られた製品 | 2023-08-04 |
12 | 特許6007429 | ダイヤモンド工具 | 2023-08-04 |
13 | 特許7312833 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2023-07-06 |
14 | 特許7283040 | 熱可塑性樹脂フィルム | 2023-05-12 |
15 | 特表2022-538213 | 切断粒子を備える非対称の歯を有する切削工具 | 2023-03-07 |
16 | 特表2022-537903 | バッファ粒子を備えるベルト状の切削工具 | 2023-03-07 |
17 | 特許7422479 | SiCインゴット及びSiCインゴットの製造方法 | 2023-02-24 |
18 | 特許7264627 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール | 2023-01-25 |
19 | 特許6762484 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | 2023-01-13 |
20 | 特許7190841 | SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 | 2023-01-13 |
直近10年間(2014-05-01〜2024-04-30)に出願された特許のうち、第三者により 閲覧請求 が1回以上なされた特許は 138件 ありました。平均閲覧請求数は 1.4回 です。 閲覧請求数が多い特許は 再公表2015/072494号「新規二酢酸ナトリウム結晶及び該結晶を含有する固形透析用製剤」(11回)、次に多い特許は 特許6472732号「樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊」(6回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 再公表2015/072494 | 新規二酢酸ナトリウム結晶及び該結晶を含有する固形透析用製剤 | 11 回 |
2 | 特許6472732 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 | 6 回 |
3 | 特許7190841 | SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 | 5 回 |
4 | 特許7264627 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール | 5 回 |
5 | 特許7283040 | 熱可塑性樹脂フィルム | 5 回 |
直近10年間(2014-05-01〜2024-04-30)に出願された特許のうち、他の特許の審査過程において1回以上 引用 された特許は 1,655件 ありました。平均被引用数は 3.0回 です。 被引用数が多い特許は 特許5910763号「弾性波装置」(34回)、次に多い特許は 特許6399913号「ウエーハの生成方法」(30回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 特許5910763 | 弾性波装置 | 34 回 |
2 | 特許6399913 | ウエーハの生成方法 | 30 回 |
3 | 特許6517030 | 半導体装置 | 30 回 |
4 | 特許6486712 | 酸化物半導体膜 | 28 回 |
5 | 特開2015-216352 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 | 26 回 |
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佐藤総合特許事務所 代表弁理士
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