本レポートは、SDGs(持続可能な開発目標)の目標(ゴール)である『』に含まれる具体目標(ターゲット)の『』(以下、「不揮発性半導体メモリ技術」と略します)に関して、出願件数推移、出願企業等の情報を提供する特許分析レポートです。
テーマコード「不揮発性半導体メモリ技術」の直近(2023-01-01〜2023-03-31)の特許出願件数は 91件 です。前年同期間(2022-01-01〜2022-03-31)の特許出願件数 99件 に比べて -8件(-8.1%) と弱含みに推移しています。
出願件数が最も多い年は 2018年 の503件、最も少ない年は 2015年 の279件です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計2,139件)の平均値は356件、中央値は371件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.3であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 356 件 |
標準偏差 | 115 |
変動係数 | 0.3 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 284 件 | -16.72 % |
2021 年 | 341 件 | -14.96 % |
2020 年 | 401 件 | -12.06 % |
不揮発性半導体メモリ技術[5F101]の過去10年間(2014-01-01〜2024-11-30)の特許検索結果[特許データベース 日本]に対する最新の特許分析情報(IPランドスケープ、パテントマップ・特許マップ)を提供しています。競合各社の特許出願動向、技術動向を比較したり、重要特許を調べることができます。
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本レポートは、不揮発性半導体メモリ技術の特許件数推移および、同業・競合企業との特許件数比較、不揮発性半導体メモリ技術の上位共願人(共同研究相手、アライアンス先)、および重要特許といった不揮発性半導体メモリ技術の知財戦略・知財経営を理解するための基礎的な情報を含んでおり、 IPランドスケープ、特許調査・特許分析、知財ビジネス評価書の作成、M&A候補先の選定、事業提携先の選定など様々な知財業務で自由にご活用いただくことができます。
パテント・インテグレーション株式会社 CEO/弁理士
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近年、「IPランドスケープ(IPL)」という考え方が注目されてきています。
IPランドスケープは、特許情報に限定されず、非特許情報(論文、ニュースリリース、株式情報、マーケット情報)などのビジネス情報を含め統合・分析し、経営戦略・事業戦略 策定に知財情報分析を通じて知財経営を実現していく一連の活動を示します。 知財情報を活用したオープン&クローズ戦略の立案、M&A候補先の選定、事業提携先の探索、知財戦略 策定なども含まれる総合的な考え方で、近年、注目されつつあります。
IPランドスケープには通常、特許調査および特許分析が含まれます。 特許調査・特許分析では、主に技術ごとの企業の市場ポジションおよび技術動向・開発動向の把握、具体的には、自社および他社がどのような知財を保有しており、何が強み・弱みであり、どのように知財活用の取り組みを行おうとしているのか、各企業の事業戦略・知財戦略を理解することが重要といえます。
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不揮発性半導体メモリ技術 の過去 20年間 の特許出願件数推移(日本)を以下に示します。
特許件数推移は、特許分析において最も基本的な分析指標です。特許件数推移を確認することで、企業・技術ごとの技術開発、研究開発への注力状況を確認できます。なお、特許は出願から公開までに一年半のタイムラグがあるため、一年半より直近の状況については分析できない点に注意する必要があります。
本レポートでは、企業・技術ごとの特許件数推移のみしか確認できませんが、「パテント・インテグレーション」では、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごとに競合他社との特許出願件数を比較したり短時間で調査を行うことができます。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
パテント・ランドスケープは、技術キーワードごとの特許出願の分布(出願注力領域)を視覚的に可視化したものです。ヒートマップ等高線で示される山や島は、特許出願のクラスタ(塊)を示しており、ヒートマップの赤い領域は、キーワードに関連する多数の特許出願がなされていることを示します。
パテント・ランドスケープにより、不揮発性半導体メモリ技術においてどのような特許出願が行われ、技術的なポジションが確立されようとしているか直感的に理解できます。 出願年のチェックボックスにチェックしフィルタすることにより、過去の出願傾向(どういった技術領域に注力してきたのか)の変遷を確認できます。
出願人・権利者のチェックボックスにチェックしフィルタすることにより、各出願人ごとにどのような技術領域で出願が行われ、提携・アライアンスが行われているのか、視覚的に把握できます。 特許分析、IPランドスケープのヒントとしてご利用ください。
また、このように特許データを視覚的に可視化することにより、経営戦略や事業戦略の策定に際して、自社および競合企業がどのような技術的ポジションに位置しているか、経営陣、事業責任者に対し説得力をもって示すことができます。
「パテント・インテグレーション」では、パテント・ランドスケープ画面の任意の位置をクリックすることで、具体的な特許出願内容を確認できます。 また、他のキーワードや特許分類と掛け合わせ、技術分野ごと出願人ごとのポジションを短時間で確認できます。 IPランドスケープにおいて各社の知財戦略の仮説検討のヒントにご活用ください。 リーズナブルな価格設定と初心者でも扱いやすい簡単なユーザインタフェースを備えており、ワンランク上の知財活動にご活用ください。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
不揮発性半導体メモリ技術 の特許出願によく使われている「単語(特徴語)」を以下に示します。 重要度が高い特徴語ほど多くの特許に使われています。
本特許分析レポートは、以下の特許データベースを用いて、以下の検索式・分析期間により検索された「3,388件」の特許検索集合を対象に作成されたものです。 特許分析結果、パテントマップ、パテント・ランドスケープなどの特許情報は、IPランドスケープを含め特許調査・分析・知財戦略業務に自由にご利用いただけます。
技術テーマ「不揮発性半導体メモリ技術」における上位出願人の特許情報を以下に示します。各企業の特許件数を比較することで、過去および現在の各社の技術テーマにおける研究開発状況や、技術テーマにおける各社の位置付けを確認できます。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
各企業の出願件数を比較すると、直近3年間(2022〜2024年)において、出願件数が最も多いのは キオクシア株式会社 の297件、次に多いのは 三星電子株式会社 の37件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
キオクシア株式会社 | 297 件 |
三星電子株式会社 | 37 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 4 件 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 3 件 |
各企業の出願件数を比較すると、対象期間(2014〜2024年)において、出願件数が最も多いのは キオクシア株式会社 の1,280件、次に多いのは 株式会社半導体エネルギー研究所 の597件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
キオクシア株式会社 | 1,280 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 597 件 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 197 件 |
三星電子株式会社 | 133 件 |
株式会社東芝 | 93 件 |
セイコーエプソン株式会社 | 14 件 |
ソニーグループ株式会社 | 3 件 |
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
同業11社 の 過去20年間の日本特許の出願件数推移を示すパテントマップを以下に示します。
技術テーマ「不揮発性半導体メモリ技術」における上位出願人の特許情報を以下に示します。各企業の特許件数を比較することで、過去および現在の各社の技術テーマにおける研究開発状況や、技術テーマにおける各社の位置付けを確認できます。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
上位出願人のうち、直近3年間(2022〜2024年)において、出願件数が最も多いのは キオクシア株式会社 の297件、次に多いのは 三星電子株式会社 の37件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
キオクシア株式会社 | 297 件 |
三星電子株式会社 | 37 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 4 件 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 3 件 |
上位出願人のうち、対象期間(2014〜2024年)において、出願件数が最も多いのは キオクシア株式会社 の1,280件、次に多いのは 株式会社半導体エネルギー研究所 の597件です。
名前・名称 | 件数 |
---|---|
キオクシア株式会社 | 1,280 件 |
株式会社半導体エネルギー研究所 | 597 件 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 197 件 |
三星電子株式会社 | 133 件 |
株式会社東芝 | 93 件 |
不揮発性半導体メモリ技術 の過去20年間の 上位出願人7社 の日本特許の出願件数ランキングを以下に示します。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
不揮発性半導体メモリ技術 の過去20年間の 上位出願人7社 の日本特許の出願件数推移を示すパテントマップを以下に示します。
株式会社東芝 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 93件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計6件)の平均値は1.0件、中央値は1.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.8であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。
出願件数が最も多い年は 2014年 の74件、最も少ない年は 2022年 の0件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 1.0 件 |
標準偏差 | 0.8 |
変動係数 | 0.8 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2021 年 | 2 件 | 0 |
2020 年 | 2 件 | +100 % |
2019 年 | 1 件 | 0 |
キオクシア株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 1,280件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計1,095件)の平均値は182件、中央値は199件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.22であり、年ごとの出願件数のばらつきは小さいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2021年 の208件、最も少ない年は 2014年 の2件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 182 件 |
標準偏差 | 39.3 |
変動係数 | 0.22 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 200 件 | -3.85 % |
2021 年 | 208 件 | +0.97 % |
2020 年 | 206 件 | +10.16 % |
株式会社半導体エネルギー研究所 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 597件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計196件)の平均値は32.7件、中央値は7.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は1.3であり、年ごとの出願件数のばらつきはかなり大きいです。
出願件数が最も多い年は 2016年 の115件、最も少ない年は 2022年 の1件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 32.7 件 |
標準偏差 | 41.2 |
変動係数 | 1.3 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 1 件 | 0 |
2021 年 | 1 件 | -91.7 % |
2020 年 | 12 件 | -84.0 % |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 197件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計52件)の平均値は8.7件、中央値は7.0件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.9であり、年ごとの出願件数のばらつきは比較的大きいです。
出願件数が最も多い年は 2016年 の43件、最も少ない年は 2022年 の3件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 8.7 件 |
標準偏差 | 7.5 |
変動係数 | 0.9 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 3 件 | -40.0 % |
2021 年 | 5 件 | -44.4 % |
2020 年 | 9 件 | -25.00 % |
三星電子株式会社 の分析対象期間(2014〜2024年)の出願件数は 133件 です。
過去5年間の出願件数(2018〜2023年、計111件)の平均値は18.5件、中央値は20.5件です。変動係数(標準偏差/平均値)は0.4であり、年ごとの出願件数のばらつきは大きいです。
直近3年間(2020〜2023年)の出願件数は減少傾向です。 出願件数が最も多い年は 2020年 の27件、最も少ない年は 2015年 の1件です。
指標 | 値 |
---|---|
平均値 | 18.5 件 |
標準偏差 | 7.3 |
変動係数 | 0.4 |
年 | 件数 | 前年比 |
---|---|---|
2022 年 | 6 件 | -70.0 % |
2021 年 | 20 件 | -25.93 % |
2020 年 | 27 件 | +125 % |
不揮発性半導体メモリ技術 の日本特許のうち、第三者から無効審判請求や異議申立が提起された特許や、特許審査過程において審査官により引用された重要性が高い特許を以下に示します。
重要特許を確認することで、不揮発性半導体メモリ技術が置かれている事業競争環境(熾烈な競争環境か、寡占市場かなど)の知見を得られます。 一般に、無効審判請求が多い企業は知財紛争の多い事業環境で事業を展開していると理解できます。
さらに詳しい情報を調査したい場合は、「パテント・インテグレーション」を利用することで、各企業の被引用、被無効審判特許を検索しダウンロードできます。 他のキーワードや特許分類と掛け合わせることで複数の競合企業を含めた特許集合から重要特許を短時間で抽出できます。重要特許調査へのご活用をご検討ください。
佐藤総合特許事務所 代表弁理士
佐藤 寿のコメント
直近3年間(2021-12-01〜2024-11-30)に、第三者から 異議申立 された特許は 1件 ありました。平均異議申立数は 1.0回 です。 最も最近 異議申立 された特許は 特許7233252号「窒化ケイ素エッチング液組成物」(異議申立日 2023-08-24)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 異議申立日 |
---|---|---|---|
1 | 特許7233252 | 窒化ケイ素エッチング液組成物 | 2023-08-24 |
直近3年間(2021-12-01〜2024-11-30)に、第三者から 情報提供 された特許は 2件 ありました。平均情報提供数は 1.5回 です。 最も最近 情報提供 された特許は 特開2022-147744号「薬液、エッチング方法、及び半導体装置の製造方法」(情報提供日 2024-11-12)、次は 特許7233252号「窒化ケイ素エッチング液組成物」(情報提供日 2023-02-16)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 情報提供日 |
---|---|---|---|
1 | 特開2022-147744 | 薬液、エッチング方法、及び半導体装置の製造方法 | 2024-11-12 |
2 | 特許7233252 | 窒化ケイ素エッチング液組成物 | 2023-02-16 |
直近10年間(2014-12-01〜2024-11-30)に出願された特許のうち、第三者により 情報提供 が1回以上なされた特許は 3件 ありました。平均情報提供数は 1.3回 です。 情報提供数が多い特許は 特許7233252号「窒化ケイ素エッチング液組成物」(2回)、次に多い特許は 特開2022-032028号「半導体装置及びこれを含むデータ格納システム」(1回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 特許7233252 | 窒化ケイ素エッチング液組成物 | 2 回 |
2 | 特開2022-032028 | 半導体装置及びこれを含むデータ格納システム | 1 回 |
3 | 特開2022-147744 | 薬液、エッチング方法、及び半導体装置の製造方法 | 1 回 |
直近3年間(2021-12-01〜2024-11-30)に、第三者から 閲覧請求 された特許は 13件 ありました。平均閲覧請求数は 1.0回 です。 最も最近 閲覧請求 された特許は 特許5255234号「半導体装置及びその制御方法」(閲覧請求日 2024-06-19)、次は 特開2022-070982号「埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法」(閲覧請求日 2024-03-27)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | 閲覧請求日 |
---|---|---|---|
1 | 特許5255234 | 半導体装置及びその制御方法 | 2024-06-19 |
2 | 特開2022-070982 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 | 2024-03-27 |
3 | 特開2023-134064 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | 2024-03-18 |
4 | 特開2023-136234 | 半導体記憶装置及びメモリシステム | 2024-03-18 |
5 | 特開2023-141163 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
6 | 特開2023-142103 | 半導体記憶装置、及び、半導体記憶装置の製造方法 | 2024-03-18 |
7 | 特開2023-180086 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
8 | 特開2024-006752 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
9 | 特許7476061 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
10 | 特開2023-137979 | 半導体記憶装置及びその製造方法 | 2024-03-18 |
11 | 特開2023-141465 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
12 | 特許7532295 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
13 | 特許7592464 | 半導体記憶装置 | 2024-03-18 |
直近10年間(2014-12-01〜2024-11-30)に出願された特許のうち、第三者により 閲覧請求 が1回以上なされた特許は 24件 ありました。平均閲覧請求数は 1.0回 です。 閲覧請求数が多い特許は 特許7166786号「メモリセルおよびデバイス」(2回)、次に多い特許は 特許6669581号「多層チャネル及び電荷トラップ層を有するメモリデバイス」(1回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 特許7166786 | メモリセルおよびデバイス | 2 回 |
2 | 特許6669581 | 多層チャネル及び電荷トラップ層を有するメモリデバイス | 1 回 |
3 | 特開2023-134064 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | 1 回 |
4 | 特開2023-136234 | 半導体記憶装置及びメモリシステム | 1 回 |
5 | 特開2023-141163 | 半導体記憶装置 | 1 回 |
直近10年間(2014-12-01〜2024-11-30)に出願された特許のうち、他の特許の審査過程において1回以上 引用 された特許は 743件 ありました。平均被引用数は 3.5回 です。 被引用数が多い特許は 特開2018-026518号「半導体記憶装置」(43回)、次に多い特許は 特許6402017号「半導体装置」(32回)です。
- | 特許番号 | 発明の名称 | # |
---|---|---|---|
1 | 特開2018-026518 | 半導体記憶装置 | 43 回 |
2 | 特許6402017 | 半導体装置 | 32 回 |
3 | 特許6327295 | ドライエッチング方法 | 31 回 |
4 | 特許6580397 | エッチング用組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法 | 31 回 |
5 | 特許6430302 | 不揮発性半導体記憶装置 | 31 回 |
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佐藤 寿のコメント